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2SA12H


GE PNP Transistor
GFX
UCB -16V
IC -15mA
hFE 25-100
Ptot 80mW
fT 8MHz
TJ 85°C
der 2SA12H ist ein Germanium PNP Transistor, Ucb = 16V, Ic = 15mA, Anwend: AM ZF- Stufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 2SA12H
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-1
2SA12H Datenblatt (jpg):verfügbar
2SA12H Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen: ↑ASY26, [mehr]
ASY26,ASY27
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2SA12H


GE PNP Transistor
GFX
UCB -16V
IC -15mA
hFE 25-100
Ptot 80mW
fT 8MHz
TJ 85°C
der 2SA12H ist ein Germanium PNP Transistor, Ucb = 16V, Ic = 15mA, Anwend: AM ZF- Stufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 2SA12H
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-1
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Ähnliche Typen: ↑ASY26, [mehr]
ASY26,ASY27
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2SA12H


GE PNP Transistor
GFX
UCB -16V
IC -15mA
hFE 25-100
Ptot 80mW
fT 8MHz
TJ 85°C
der 2SA12H ist ein Germanium PNP Transistor, Ucb = 16V, Ic = 15mA, Anwend: AM ZF- Stufen
Photo: -
Quelle: Jaeger electronic catalog...... [mehr]
Jaeger electronic catalog 1999
Erweiterte Informationen zu 2SA12H
OEM:Hitachi Ltd.... [mehr]
Hitachi Ltd. Japan
Gehäuse: TO-1
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Ähnliche Typen: ↑ASY26, [mehr]
ASY26,ASY27
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

ASY26


GE PNP Transistor
ähnlich 2SA12H siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.2A
hFE 15
Ptot 150mW
fT ≥4MHz
TJ 85°C
der ASY26 ist ein ähnlicher Germanium PNP Transistor, Uce = 25V, Ic = 200mA, Anwend: mittelschneller Schalttransistor, die Basis ist mit dem Gehäuse verbunden
Photo: -
Quelle: SH Halbleiter DB 1965/66...... [mehr]
SH Halbleiter DB 1965/66 Industrietypen
Ähnlicher Typ: ASY26
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-5
ASY26 Datenblatt (jpg):verfügbar
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OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ:-
Ähnliche Typen: ↑ASY48, [mehr]
ASY48,ASY76
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ASY26


GE PNP Transistor
ähnlich 2SA12H siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.2A
hFE 15
Ptot 150mW
fT ≥4MHz
TJ 85°C
der ASY26 ist ein ähnlicher Germanium PNP Transistor, Uce = 25V, Ic = 200mA, Anwend: mittelschneller Schalttransistor, die Basis ist mit dem Gehäuse verbunden
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SH Halbleiter DB 1965/66 Industrietypen
Ähnlicher Typ: ASY26
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-5
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ASY48,ASY76
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ASY26


GE PNP Transistor
ähnlich 2SA12H siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -25/-30V
IC -0.2A
hFE 15
Ptot 150mW
fT ≥4MHz
TJ 85°C
der ASY26 ist ein ähnlicher Germanium PNP Transistor, Uce = 25V, Ic = 200mA, Anwend: mittelschneller Schalttransistor, die Basis ist mit dem Gehäuse verbunden
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Ähnlicher Typ: ASY26
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-5
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ASY48,ASY76
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Anm.:ein ähnlicher Typ ist nicht immer ein Ersatztyp, bitte prüfe die Anforderungen der Schaltung vor dem Einsatz eines ähnlichen Typs als Ersatztyp

ASY27


GE PNP Transistor
ähnlich 2SA12H siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -20/-25V
IC -0.2A
hFE 25
Ptot 150mW
fT ≥6MHz
TJ 85°C
der ASY27 ist ein ähnlicher Germanium PNP Transistor, Uce = 20V, Ic = 200mA, Anwend: mittelschneller Schalttransistor, die Basis ist mit dem Gehäuse verbunden
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SH Halbleiter DB 1965/66 Industrietypen
Ähnlicher Typ: ASY27
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-5
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OEM Datenblatt:-
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Ähnliche Typen: ↑ASY48, [mehr]
ASY48,ASY76
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ASY27


GE PNP Transistor
ähnlich 2SA12H siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -20/-25V
IC -0.2A
hFE 25
Ptot 150mW
fT ≥6MHz
TJ 85°C
der ASY27 ist ein ähnlicher Germanium PNP Transistor, Uce = 20V, Ic = 200mA, Anwend: mittelschneller Schalttransistor, die Basis ist mit dem Gehäuse verbunden
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SH Halbleiter DB 1965/66 Industrietypen
Ähnlicher Typ: ASY27
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-5
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ASY48,ASY76
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ASY27


GE PNP Transistor
ähnlich 2SA12H siehe Anm.
GFX
UCE/UCB -20/-25V
IC -0.2A
hFE 25
Ptot 150mW
fT ≥6MHz
TJ 85°C
der ASY27 ist ein ähnlicher Germanium PNP Transistor, Uce = 20V, Ic = 200mA, Anwend: mittelschneller Schalttransistor, die Basis ist mit dem Gehäuse verbunden
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SH Halbleiter DB 1965/66 Industrietypen
Ähnlicher Typ: ASY27
OEM:Siemens AG
Gehäuse: TO-5
ASY27 Datenblatt (jpg):verfügbar
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ASY48,ASY76
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